La technologie d'intégration entre la structure d'amplification de champ électrique (EFES) et les capteurs atomiques de Rydberg (RAS) suscite un large intérêt en raison de son potentiel d'amélioration de la sensibilité de détection dans le système de mesure quantique. Cependant, les recherches sur la réponse directionnelle de l'EFES restent encore assez rares pour le moment, et l'analyse de la carte directionnelle tridimensionnelle du RAS continue d'être un défi important. Le RAS est principalement utilisé comme dispositif de réception et peut être utilisé dans les techniques de mesure non destructives pour répondre au champ électrique. Cependant, l'analyse de la carte de réception est une tâche complexe nécessitant l'utilisation de méthodes complexes. C'est pourquoi nous utilisons une analyse des modèles caractéristiques pour expliquer les performances omnidirectionnelles du RAS. Selon la théorie des modèles caractéristiques, la carte de réception peut être calculée à l'aide d'une série de modèles de courant et de leurs coefficients correspondants. L'analyse de ces coefficients représente l'abandon de la nécessité de la simulation numérique complète (FW) chronophage, qui nécessite généralement la numérisation d'un grand nombre de paramètres d'angle pour générer la carte directionnelle EFES. Cette méthode simplifie considérablement la complexité de la résolution de la carte directionnelle EFES et fournit des orientations significatives pour le processus de conception. Pour vérifier l'efficacité de la méthode proposée, 3 prototypes ont été construits. Les résultats ont montré que le modèle final atteint une résonance à 1,96 GHz, avec un gain de champ de 25 dB et une inexactitude de 2,4 dB. Ces résultats mettent fortement en évidence l'efficacité de notre méthode dans l'analyse de la carte de direction EFES, et démontrent son potentiel d'application dans ce domaine.

Rydberg atomic sensor;Characteristic mode;Electric field enhancement structure