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三种CMOS反相器抗电磁干扰性能研究
常规文章 | Updated：2025-02-25
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    • 三种CMOS反相器抗电磁干扰性能研究

      Enhanced Publication

    • Research on electromagnetic interference resistance performance of three kinds of CMOS inverters

    • “在CMOS电路的抗电磁干扰（EMI）领域，本文研究了三种NOT门电路的性能。该研究表明，电流模式CMOS电路在高工作频率和不同温度和工艺下表现出优异的抗电磁干扰性能，为电流模式CMOS抗电磁干扰电路的设计奠定了基础。”
    • 信息与电子工程前沿(英文版)   2024年25卷第10期 页码：1390-1405

    • DOI：10.1631/FITEE.2400264    

      中图分类号： TN95

    • 收稿日期：2024-04-08，

      修回日期：2024-06-03，

      纸质出版日期：2024-10

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  • 刘芳君, 沈嘉明, 沈继忠. 三种CMOS反相器抗电磁干扰性能研究[J]. 信息与电子工程前沿(英文版), 2024,25(10):1390-1405. DOI： 10.1631/FITEE.2400264.

    Fangjun LIU, Jiaming SHEN, Jizhong SHEN. Research on electromagnetic interference resistance performance of three kinds of CMOS inverters[J]. Frontiers of information technology & electronic engineering, 2024, 25(10): 1390-1405. DOI： 10.1631/FITEE.2400264.

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